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주요 사양
주요 사양
Si/SiC: 1.2kV/200A
GaN: 1.2kV/100A
활동 분야
활동 분야
SiC discrete devices용 Double Pulse Test system
GaN discrete device test 및 2x, 4x, 6x power module test 지원
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Si/SiC: 1.2kV/200A
GaN: 1.2kV/100A
SiC discrete devices용 Double Pulse Test system
GaN discrete device test 및 2x, 4x, 6x power module test 지원